EP/(PAN-LiTf)复合膜的击穿强度

击穿强度和储能密度是 high-k 材料在实际应用中需要考察的重要参 数，具有广泛的应用范围[42, 46, 107, 108]。
 将测试结果利用 Weibull 分布进行分析。某时刻复合材料的击穿强度为 E，我们 认为其 Weibull 统计分布符合式(1) 
P = 1 − exp [− (− ( exp [− (

其中 P 表示的是在时间或者电压 t 时试样被击穿的百分数；E 代表实验测试得到材 料的击穿强度；β 为 Weibull 分布的形状参数，其值越大，击穿电压的变化范围越小； E0 为失效概率为 0.632 时复合材料的击穿强度。

下图 给出了 EP 树脂及复合材料的 Weibull 分布曲线及击穿强度。大量研究表 明，加入导体会导致聚合物 Eb 大幅降低[41, 109-111]，而 EP/(PAN- LiOTf)复合材料的 Eb 高 于 EP 树脂的值。0.22EP/(PAN- LiOTf)复合材料的交流和直流 Eb 为 41.9kV/mm 和 55.1kV/mm，是 EP 树脂 Eb 的 1.8 倍和 1.7 倍，这对复合材料的实际应用具有重要的 意义[112]。
不同于传统导体与聚合物基体较差的相容性， EP、PAN 和 LiOTf 三者具有良好 的相容性，使 EP/(PAN-LiOTf)复合材料因缺陷更少而不易击穿。此外，减少漏电电流 可提高材料的击穿强度[116]，PAN-LiOTf 不同于传统导体的导电机制且 EP 的存在切断 了 PAN -LiOTf 导电通路，减少了 PAN- LiOTf 相互接触造成的漏电电流。