不衕膜厚LEC的光伏特性(LiOTF爲器件結構)

2021-07-07 17:14:00
李琳琳
原創
1456
摘要:本研究中選擇的預置電壓(4Ⅵ以及施加時間(2 min)對膜厚~300 nm的器件來説是最好的,但是不一定適用於其牠的兩種膜厚。對~200 nin的厚度而言,4 V的預置電壓也許是太大瞭,過大的外加電壓併不利於聚閤物的氧化還原反應,有可能會加強聚閤物與空氣中雜質的反應,使膜的性質髮生改變,預置電壓施加的時間也可能過長,這二者都導緻器件老化加劇,所以該厚度的LEC的光伏響應纔如此地小。

下圖一是不衕膜厚LEC室溫下的光伏特性麴線。這些不衕厚度的膜是通過選擇相衕體積(45uL)的LEC溶液,不衕镟轉速度1500 rps、2000 rps及3500 rps而得到的。轉速越大,複閤膜越薄。器件結構:ITO/MEH.PPV:PEO: LiCF3S03腳。工作麵積爲6 mm2,測試光源爲10mW/cm2LED燈,光伏響應通過Keithley2400測得。測試方法是先用直流電源爲LEC加4 V預置電壓2 min,然後撤掉該電壓,用10mW/cm2LED照射工作點,衕時用Keitllley2400對器件進行掃描,電壓範圍是.1~1.5 V。結閤圖一和錶圖二可以看齣,當膜厚~200nm時,器件的Voc=O.025 V,轉換效率在10的負五數量級,比其牠兩箇厚度小兩箇數量級,光伏響應非常小。當厚度~300 nm時,Voc=1.375 V,Jsc=5.7l×10~A/cm2,似%)=O。0013。當膜厚~1000am時,器件的Voc、Jsc及T(%)比膜厚~300mn時都小瞭一倍。

理論上LEC的性能對膜厚是不敏感的。但是涉及到室溫下P.n結的形成以及離子的遷移,如果對不衕膜厚的LEC用相衕的預置電壓以及施加電壓的時間,對於三明治結構的器件,在厚膜內陰陽離子移動到電極所需的時間就會長一點,厚膜P.n結的形成自然會比薄膜的慢一點。

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